歡迎來到深圳市京都玉崎電子有限公司！
13717032088<pre id="iacg0"></pre>
歡迎來到深圳市京都玉崎電子有限公司！
13717032088
產(chǎn)品分類 / PRODUCT
更新時間：2024-11-14 
瀏覽次數(shù)：916半導(dǎo)體曝光設(shè)備是半導(dǎo)體制造過程中用于在硅片上繪制電路圖案的設(shè)備。*的紫外光透過光掩模，作為電路圖案的原型，電路圖案被轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的硅晶片上。近年來，一些設(shè)備使用波長為 13 nm 的激光（稱為 EUV）來微型化精細電路圖案。由于定位等要求高的精度，因此設(shè)備價格昂貴。
半導(dǎo)體曝光設(shè)備用于包含MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）和FET（場效應(yīng)晶體管）等半導(dǎo)體元件的IC（集成電路）制造過程中的曝光工序。
在IC制造過程中，在硅晶片上依次重復(fù)光刻和蝕刻循環(huán)，并且在將氧化硅、金屬等層層壓并加工成預(yù)定圖案的過程中，半導(dǎo)體元件所需的特性被加工為執(zhí)行得如此，它已經(jīng) .例如，在n型MOS(NMOS)的情況下，在p型硅基板的柵極區(qū)域上形成氧化硅膜和柵極金屬，并且將高濃度的雜質(zhì)離子注入到漏極和源極中。這形成了n型（n+型）MOS。這一系列工序中的光刻工序和蝕刻工序如圖所示地構(gòu)成(成膜工序S1～抗蝕劑剝離工序S6)。
上一篇：半導(dǎo)體曝光設(shè)備原理
拿起手機掃一掃
地址：龍華新區(qū)梅龍大道906號創(chuàng)業(yè)樓
郵箱：ylx@tamasaki.com
聯(lián)系人：袁蘭香Copyright © 2026深圳市京都玉崎電子有限公司 All Rights Reserved 備案號：粵ICP備2022020191號
技術(shù)支持：化工儀器網(wǎng) 管理登錄 sitemap.xml
13717032088
拿起手機掃一掃
返回頂部點
擊
隱
藏
我的位置：